P型半导体的P是什么意思N型半导体的N是，n型半导体和p型半导体的异同有哪些

P型半导体的P是什么意思？N型半导体的N是什么意思？

P型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷； N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷。肯定是来源自于英文首字母。

拓展资料

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），促使其取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即 自由电子浓度远大于 空穴浓度的杂质半导体。

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

N型半导体和P型半导体的异同有什么？

异同点请看下方具体内容：

一、一样点

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这种类型半导体中，

参加导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。比如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。 “P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这种类型半导体中，参加导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因为这个原因凡掺有受主杂质或受主。

二、异同点：

因为N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

因为P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

p型和n型半导体的区别：P 型半导体也称为空穴型半导体。N型半导体也称为电子型半导体

1、N型半导体也称电子型半导体，指自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体，参杂磷等Ⅴ族元素。磷，第15号化学元素，符号P，处于元素周期表的第三周期、第ⅤA族。单质磷有几种同素异形体。这当中，白磷或黄磷是无色或淡黄色的透明结晶固体。密度1.82克/立方厘米。熔点44.1℃，沸点280℃，着火点是40℃

2、N型半导体中正电荷量与 负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。电中性可以指溶液中电解质正负离子平衡，整体溶液向外不表现带电的属性，就是我们常说的这个东西不带电。

3、P型半导体，别名空穴型半导体，P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。空穴又称电洞（Electron hole），在固体物理学中指共价键上流失一个电子，最后在共价键上留下空位的情况。一个呈电中性的原子，其正电的质子和负电的电子的数量是相等的。

1，在p型半导体中，添加元素周期表的III族元素作为掺杂元素，而在n型中，V族元素是掺杂元素。

2，p型半导体中添加了铝、镓、铟等三价杂质，而n型半导体中添加了砷、锑、磷、铋等五价杂质。

3，p型半导体中添加的杂质提供了额外的空穴，称为受主原子，而n型半导体中添加的杂质提供了额外的电子，称为施主原子。

4，在p型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子。在n型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

5，电子密度远大于表示为ne nh的 n型半导体中的空穴密度，而在 p 型半导体中，空穴密度远大于电子密度nh ne。

6，在n型半导体中，施主能级接近导带而远离价带。在p型半导体中，受主能级靠近价带而远离导带。

7，n型半导体的费米能级位于施主能级和导带当中，而p型半导体的费米能级位于受主能级和价带当中。

8，多数载流子在 p 型中从非常高电位移动到很低电位，而在 n 型中，多数载流子从很低电位移动到非常高电位。

1、n型半导体

n型半导体，也称为电子半导体，可以通过在本征半导体中掺杂磷等五价杂质元素来形成。

因为五价杂质原子中唯有四个价电子可以与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，额外的价电子可以容易地形成自由电子，因为它不受共价键的束缚。在n型半导体中，自由电子是主要由杂质原子提供的多数载流子;空穴是由热激发形成的少数载流子。

提供自由电子的五价杂质原子因为带正电荷而变成正离子，因为这个原因五价杂质原子也被称为施主杂质。

2、p型半导体

p型半导体，也称为空穴型半导体是通过在本征半导体中掺杂硼、镓和铟等三价杂质元素而形成的。

当三价杂质原子与硅原子形成共价键时，它们缺乏价电子，并在共价键中留下一个空穴。p型半导体中的空穴是主要运用掺杂形成的多数载流子;电子是少数载流子，由热激发形成。空穴比较容易捕获电子，使杂质原子变成负离子。因为这个原因，三价杂质也称为受体杂质。

硅元素和锗元素位于第四主族，最外层有4个电子，结构稳定是理想的半导体材料。我们把最外层具有5个电子的第五主族元素，如磷（P）、砷（As）或锑（Sb）作为杂质掺杂到硅中，就可以制成n型半导体。第五主族元素中的5个电子的这当中4个和硅结合，剩下的一个就可以自由移动成为自由电子，而这个电子就是n型半导体的载流子。

同理，把最外层具有3个电子的第三主族元素，如硼（B）、镓（Ga）或铟（In）作为杂质掺杂到硅中，就可以制成p型半导体。第三主族元素的3个电子和硅的3个电子结合，这当中一个价电子将没办法使硅和硼键合，以此出现了缺乏电子的空穴，这个空穴就是p型半导体的载流子。

这当中 “n” 代表负电，取自英文negative的首字母。 “p” 表示正电的意思，取自英文positive的首字母。

N半导体和P半导体都是以硅晶圆为原料，经过掺杂而形成。

不一样在于，P有高浓度的空穴，N有高浓度的自由电子。

P掺杂了3价元素，例如铟；N掺杂了5价元素，例如磷。

p极和n极区别？

p极和n极是指半导体器件中的两种不一样的材料，具有不一样的载流子类型和导电属性。下面是p极和n极的区别：

1. 载流子类型不一样：p极的载流子类型为空穴，n极的载流子类型为电子。空穴和电子的导电性质不一样，因为这个原因p极和n极的导电特性也就不一样。

2. 导电性质不一样：p极的导电性质为正向，n极的导电性质为反向。在正向偏置时，p极中的空穴和n极中的电子受到吸引而向中心移动，形成电流；在反向偏置时，p极中的空穴和n极中的电子受到排斥而向两侧移动，形成电流。

3. 接合区不一样：p极和n极的接合区结构不一样。p极和n极的接合区中，会出现空穴和电子的复合，致使电子和空穴当中能量的释放，出现光和热。p-n 接合区在工作时，会形成一种正向电压下的电流，这样的电流被称为正向偏置电流；反向电压下的电流被称为反向漏电流。

总而言之，p极和n极是半导体器件中的两种不一样材料，在载流子类型、导电性质、接合区结构等方面存在差异。在半导体器件的制造和应用中，p极和n极的不一样特性被广泛应用，如二极管、场效应管、晶体管等。

材料不一样，p极和n极区别是材料不一样。

NPN和PNP是晶体管的两种类型，它们的区别在于晶体管的极性和极性控制方法。

NPN晶体管是一种N型晶体管，它的三个极性分别是N极（收集极）、P极（基极）和N极（发射极）。NPN晶体管的极性控制是通过N极（收集极）和P极（基极）当中的电压差来控制的，当N极和P极当中的电压差达到一定的阈值时，N极（收集极）就可以吸收电子，以此使N极（发射极）的电流增多，以此使晶体管发射电子

1. 外延材料不一样：N标二极管采取掺杂N型的外延材料，P标二极管采取掺杂P型的外延材料。

2. 载流子类型不一样：N标二极管的载流子是电子，P标二极管的载流子则是空穴。

3. 导通方向不一样：当N标二极管导通时，电子会从n区流向p区；而当P标二极管导通时，空穴会从p区流向n区。

4. 适用场合不一样：N标二极管适用于高电流和高速应用，因为其导通时电子速度很快；而P标二极管适用于需更优质信号的应用，因为空穴的迁移率非常高。

需要大家特别注意的是，松下的二极管产品还有其他规格参数和性能指标，因为这个原因选择时应按照详细的应用需求和工作条件来综合多方面因素慎重考虑清楚。

1. P极和N极是指半导体器件中的两种不一样类型的材料。2. P极是指掺杂了少量三价元素（如硼）的半导体材料，具有空穴（正电荷）的载流子，而N极是指掺杂了少量五价元素（如磷）的半导体材料，具有电子（负电荷）的载流子。在PN结中，P极和N极的材料相接触，形成一个电势垒，让电子和空穴出现扩散和漂移，以此出现电流。3. P极和N极的区别是根据它们的材料类型和载流子类型，这样的区别在半导体器件的设计和制造中很重要，因为它决定了器件的电性能和工作方法。

p极和n极是指半导体器件中的两种不一样掺杂区域，针对p型和n型半导体，这两种区域的位置和掺杂方法是不一样的。

1. p型半导体：p型半导体中，杂质原子掺杂的是三价元素，如硼元素（B）等。这些杂质原子中的原子核比半导体晶格中的硅原子核少一个电子，因为这个原因它们会创建可移动的电子空穴（缺失电子的位置）。这些杂质原子被称为“施主”（donors），因为它们可以提供能量将半导体电子激发进入可移动的空穴中。P型半导体中的p极区域就是指被施主离子掺杂的区域。

2. n型半导体：n型半导体中，杂质原子掺杂的是五价元素，如磷元素（P）等。这些元素在半导体晶格中的原子核比硅原子核多一个电子。这些杂质原子被称为“受主”（acceptors），因为它们可以容纳一个额外的外部电子。这些额外的电子受到杂质原子的束缚，并填补了半导体中的缺口。这样就创建出了不少自由的电子，受杂原子的外部电子和其他的自由电子一起有助于电流的流动。N型半导体中的n极区域就是指被受体离子掺杂的区域。

总而言之，p型半导体中的p极区域具有空穴，n型半导体中的n极区域具有自由电子，两者充当了各自半导体器件的重点部分是半导体器件达到各自不同的功能的基础。

P极和N极是指半导体器件中的两种材料。P极一般是指掺入了三价杂质的硅材料，而N极则是指掺入了五价杂质的硅材料。

P极和N极在物理性质上具有不一样的电子构型和载流子类型。在P型半导体中，被掺入的杂质原子会增多材料中的空穴浓度，空穴可以被觉得是在材料中移动的正电子。而在N型半导体中，被掺入的杂质原子会增多电子浓度，电子可以被觉得是在材料中移动的负电子。

这些不一样的载流子类型及其运动方法导致了P极与N极在电路行为上的差异。P极可以被觉得是一种“正极”，它的电势比另一端的N极高，它可以吸收空穴，并在空穴与电子的复合途中出现少量的电子。N极可以被觉得是一种“负极”，它的电势比另一端的P极低，它可以吸收自由电子，并在电子与空穴的复合途中出现少量的空穴。这些过程共同致使半导体器件中的电流与电场效应。

一、不管是二极管还是三极管中的P和N分别P型半导体和N型半导体。

半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）当中的材料。半导体在收音机、电视机还有测量体温上有着广泛的应用。如二极管就是采取半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体当中的材料。不管从科技或是经济发展的的视角来看，半导体的重要性都是很巨大的。今日大多数的电子产品，如计算机、手机号码或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着非常密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各自不同的半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），促使其取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），促使其取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。

二、针对二极管

可分正负极，P区为其正极，N区为其负极

三、针对三极管

不可以分为正、负极，

它分为三区、两结、三极

三区：基区、发射区和集电区

两结：发射结和集电结

三极：基极、发射极和集电极

按结构材料分为NPN型和PNP型。

用指针式万用表R*1K电阻档测试。当电阻值最小的测量中，黑表笔接的是P极红表笔接的是N极。因为这个原因时PN结处于正向连接，电阻最小。

p型半导体和n型半导体的特点分别是什么？

1、形成原因不一样

在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，比如砷或锑。

在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，比如硼或铟。

2、导电特性不一样

P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。

N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

3、定义不一样

N型半导体，也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这种类型半导体中，参加导电的 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。因为P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。

n型导体和p型导体的区别？

N型半导体，也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在这种类型半导体中，参加导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。因为P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。

N型半导体和P型半导体的区别是：N型半导体是在硅材料里掺入微量三价元素，它们形成共价键后因为缺乏一个电子而形成空穴型的半导体。而P型半导体是在硅材料里掺入微量的五价元素，它们形成共价键后还多出一个电子而形成电子型半导体。